Lead halide perovskite material which has the general chemical formula $APbX_3$, has emerged as a new promising material for optoelectronic application purposes due to its superior photo-physics compare to traditional semiconductors such as defect tolerant, high carriers mobility, high quantum yield and cheap to synthesis. By manipulating the stoichiometry of the elements, we can change the optoelectronic properties of this material. By mixing the X site (halide), the bandgap of lead halide perovskite can be manipulated. In this work, $MAPbI_{3-x}Br_x$ ($MA: CH_{3}NH_3$) mixed halide perovskite thin film is synthesis from $MAPbI_3$ pure halide perovskite with the modified in-air sublimation halide exchange method. The structure and optical properties depending on halide composition are then investigated.
화학식$APbX_3$ 로 표현되는 납 할로겐화물 페로브스카이트 물질은 기존의 반도체에 비하여 뛰어난 결함내성, 높은 전하 이동도, 높은 양자수득률 등의 광물리학적 특성으로 인해 광전자공학 응용에 적합한 물질로 각광받고 있다. 화학양론적 제어를 통하여 우리는 납 할로겐화물 페로브스카이트의 광전자 특성을 바꿀 수 있다. X 위치 (할로겐화물)의 혼합을 통해 납 할로겐화물 페로브스카이트의 밴드구조를 변형할 수 있다. 본 연구에서는 변형된 승화 교환 방식으로 $MAPbI_3$ 할로겐화물 페로브스카이트로부터 $MAPbI_{3-x}Br_x$ ($MA: CH_{3}NH_{3}$) 납 할로겐화물 페로브스카이트 필름을 합성했으며, 할로겐화물의 조성비에 따른 구조적 및 광학적 특성을 연구했다.
