Fabrication of submicron T-gate GaAs FET and preamplifier = Submicron T-gate GaAs FET 및 preamplifier 제작

• 서명 / 저자: Fabrication of submicron T-gate GaAs FET and preamplifier = Submicron T-gate GaAs FET 및 preamplifier 제작 / Jong-Seung Hwang.
• 발행사항: [대전 : 한국과학기술원, 1995].

Submicron T-Gate GaAs FET is fabricated. It uses 1㎛ FET photolithography process. So, its process has high productivity and low cost. Fabricated FET has $L_g$ of 0.4㎛, $g_m$ of 173 mS/mm, $f_T$ of 32 GHz and $f_T$ of 64 GHz.
Using T-Gate FET, preamplifier for optical communication is designed and fabricated. Fabricated amplifier has bandwidth of 1.7 GHz, transimpedance of 66.5 dBΩ, and $S_22$ under -15 dB.
The laser lithography system for mask fabrication is developed. The minimum line width for fine pattern is 2.5 ㎛.

• 형태사항: ii, 52 p. : 삽화 ; 26 cm
• 언어: 영어
• 일반주기: Appendix : 레이저 리소그라피 장비 개발 ; 저자명의 한글표기 : 황종승 ; 지도교수의 영문표기 : Young-Se Kwon ; 지도교수의 한글표기 : 권영세
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: Includes reference
• 주제: Gallium arsenide semiconductors. ; Transistor amplifiers. ; FET. --과학기술용어시소러스 ; 비소화갈륨. --과학기술용어시소러스 ; 전치 증폭기. --과학기술용어시소러스 ; 광 통신. --과학기술용어시소러스 ; Field-effect transistors.