Although SRAM is a well established type of volatile memory, data remanence has been observed at low temperature even for a power-off state, and thus it is vulnerable to a physical cold boot attack. To address this, an ultra-fast data sanitiza-tion method within 5 ns is demonstrated with physics-based simulations for avoidance of the cold boot attack to SRAM. Back-bias, which can control device parameters of CMOS, such as threshold voltage and leakage current, was utilized for the ultra-fast data sanitization. It is applicable to temporary erasing with data recoverability against a low-level attack as well as permanent erasing with data irrecoverability against a high-level attack.
SRAM (static random access memory)은 잘 정립된 유형의 휘발성 메모리 (volatile memory)이지만, 전원이 꺼진 상태에서도 저온에서 데이터 잔존 (data remanence)이 관찰되어 물리적인 콜드 부트 공격 (cold boot attack)에 취약하다. 본 연구에서는, SRAM에 대한 콜드 부트 공격을 방지하기 위해, 물리 기반 시뮬레이션을 통해 5 ns 이내의 초고속 SRAM 데이터 삭제 (data sanitization) 방식이 구현된다. CMOS (com-plementary metal-oxide-semiconductor)의 문턱 전압 (threshold voltage) 및 누설 전류 (leakage current) 특성을 제어할 수 있는 백 바이어스 (back-bias)가 초고속 데이터 삭제를 위해 활용된다. 낮은 수준의 공격 시도에서는 데이터 복구가 가능한 임시 삭제 (temporary erasing) 전략이, 높은 수준의 공격 시도에서는 데이터 복구가 불가능한 영구 삭제 (permanent erasing) 전략이 적용된다.
