As controlled spalling technology using residual stress of electrodeposited nickel can be applied to CMOS devices, it attracts a lot of attention as a device flexibilization technology for commercialization of wearable electronic devices. Previous technology based on Ni stressor layer had difficulty to exfoliate the device within 5 $\mu$m of thickness. In this study, exfoliation of single crystalline silicon substrate thinner than 1 $\mu$m is succeeded increment of residual stress and controlling the characteristics of electrodeposited Ni film. Moreover, the process can be actually applicable by demonstrating flexible resistive switching memory.
니켈 도금에 따른 잔류 응력을 이용한 소자 박리 기술은 CMOS 소자에도 적용할 수 있기 때문에, 웨어러블 전자기기 상용화를 위한 소자 유연화 기술로 큰 주목을 받고 있다. 기존의 응력층을 이용한 박리 기술은 5 $\mu$m 이내로 소자를 박리하는 데에 어려움을 겪었다. 이 연구에서는, 잔류 응력의 증대와 도금 시 니켈 박막의 특성 조절을 통하여 1 $\mu$m 미만의 두께로 단결정 실리콘 기판을 박리하는 데에 성공하였으며, 저항 변화 메모리 소자를 유연화하여 실제 적용 가능한 공정 기술임을 확인하였다.
