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소장자료

상세 정보
서명 / 저자 Effects of wet etchant on the Al-doped In-Sn-Zn-O thin-film transistors with Cu/Cu diffusion barrier source-drain = 고이동도 산화물 반도체 구리/구리 확산 방지 전극 박막트랜지스터에 대한 습식 식각액 영향 연구 / Daeho Kim.
저자명 Kim, Daeho ; 김대호
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2019].
online access
Online Access /thesis_pdf_02/2019/2019M02017...  원문
서가 정보
등록번호 소장위치/청구기호 도서상태 반납예정일
8033691 학술문화관(도서관)2층 패컬티라운지(학위논문)
MMS 19007  

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이용가능
대출가능확인

초록

상세 정보
형태사항 v, 44 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 김대호
지도교수의 영문표기 : Sang-Hee Park
지도교수의 한글표기 : 박상희
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과,
서지주기 Including references
주제 Oxide thin film transistor
Al-doped In-Sn-Zn-O
back channel etched structure
Cu diffusion barrier material
molybdenum-based alloy
fluorine-free etchant
etching residue
channel surface dama
산화물 박막 트랜지스터
알루미늄 도핑 인듐-주석-아연 산화물
백채널 에치 구조
구리 확산 방지 물질
몰리브덴 합금
플루오린-프리 에천트
식각 잔여물
채널 표면 데미지
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