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Effects of wet etchant on the Al-doped In-Sn-Zn-O thin-film transistors with Cu/Cu diffusion barrier source-drain = 고이동도 산화물 반도체 구리/구리 확산 방지 전극 박막트랜지스터에 대한 습식 식각액 영향 연구
서명 / 저자 Effects of wet etchant on the Al-doped In-Sn-Zn-O thin-film transistors with Cu/Cu diffusion barrier source-drain = 고이동도 산화물 반도체 구리/구리 확산 방지 전극 박막트랜지스터에 대한 습식 식각액 영향 연구 / Daeho Kim.
저자명 Kim, Daeho ; 김대호
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2019].
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초록정보

The purpose of this research is to create a thin-film-transistor of a back-channel-etched structure with low resistance Cu and high mobility A-ITZO. To suppress the diffusion characteristics of Cu, Mo-based alloys such as Mo-Al, Mo-Al-Ti, Mo-Ti were applied as a diffusion barrier. The problems of back-channel-etched structure, etching residue and damage of channel surface after etched by the conventional and F-free etchant, were compared. Later, each barrier and etchant was applied to the TFTs and identified the electrical characteristics. In the case of Mo-Ti, no residue was present for both etchant, but channel surface damage was decreased. For Mo-Al and Mo-Al-Ti S/D, the residual and channel surface damage were reduced. The electrical characteristics of the device that etched by F-free etchant have been improved. This research provide direction for the manufacture and design of TFTs applied with Cu.

본 연구는, 저저항 구리 전극 및 고이동도 알루미늄 도핑 인듐-주석-아연 산화물을 적용한 백채널 에치 구조 박막 트랜지스터 제작을 목적으로 한다. 구리의 확산 특성을 억제하기 위해 몰리브덴 합금인 몰리브덴-알루미늄, 몰리브덴-알루미늄-티타늄, 몰리브덴-티타늄을 소자에 적용하였다. 소스-드레인 에치 시 기존 에천트와 플루오린-프리 에천트를 사용하여, 백채널 에치의 문제점인 이중막-에치 잔여물 및 채널 표면 데미지를 비교하였다. 이후, 각 배리어 및 에천트를 소자에 적용하여 전기적 특성을 확인하였다. 몰리브덴-티타늄의 경우 두 에천트에서 모두 잔여물이 존재하지 않았으나, 플루오린-프리 에천트 사용시 액티브 표면 데미지가 줄어들었다. 몰리브덴-알루미늄, 몰리브덴-알루미늄-티타늄 물질을 플루오린-프리 에천트로 에칭하였을 때, 잔여물 및 채널 표면의 데미지가 감소하였다. 소자에 플루오린-프리 에천트를 적용하였을 때, 전기적 특성이 개선되었다. 본 연구는 구리 적용 박막 트랜지스터 제작 및 설계의 방향을 제시하고 있다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MMS 19007
형태사항 v, 44 p. : 삽도 ; 30 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 김대호
지도교수의 영문표기 : Sang-Hee Park
지도교수의 한글표기 : 박상희
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과,
서지주기 Including references
주제 Oxide thin film transistor
Al-doped In-Sn-Zn-O
back channel etched structure
Cu diffusion barrier material
molybdenum-based alloy
fluorine-free etchant
etching residue
channel surface dama
산화물 박막 트랜지스터
알루미늄 도핑 인듐-주석-아연 산화물
백채널 에치 구조
구리 확산 방지 물질
몰리브덴 합금
플루오린-프리 에천트
식각 잔여물
채널 표면 데미지
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