For these days, RFIC using CMOS fabrication is researched by many researchers due to developed CMOS fabrication technology. However, designing high performance signal source using CMOS fabrication is difficult due to CMOS fabrication’s intrinsic characteristics. Moreover, ultra-high speed wireless communication is possible when we design transmitter in millimeter wave, but designing linear Power amplifier is difficult. Linear power amplifier is key issue for wireless communication, because it makes possible to higher order data modulation. In this thesis, i will describe 120 GHz power amplifier for single chip multi-source and ultra-high speed wireless communication.
최근 CMOS 공정 기술의 발달로 인하여 밀리미터파 대역에서 다양한 어플리케이션을 위한 CMOS 칩들이 연구되고 있다. 하지만 CMOS 공정의 내재된 특성상 밀리미터파라는 높은 주파수 대역에서 좋은 성능의 신호원을 만들기 어렵다는 문제가 있다. 또한 밀리미터파를 이용하면 넓은 대역폭을 가진다는 장점 덕분에 초고속 통신이 가능하게 되는데 전송 속도가 높은 변조를 걸어서 송신을 하려면 선형적 특성이 좋은 전력 증폭기가 필요로 하게 된다. 따라서 본 학위논문에서는 다중 신호원을 위한 120 GHz 전력 증폭기와 초고속 무선 통신을 위한 선형기가 들어간 120 GHz 전력 증폭기에 대해 다루고자 한다.
