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외부 공진기를 이용한 파장 가변형 GaAs 레이저 다이오드 = Wavelength tunable GaAs laser diode using external cavity
서명 / 저자 외부 공진기를 이용한 파장 가변형 GaAs 레이저 다이오드 = Wavelength tunable GaAs laser diode using external cavity / 곽천섭.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1993].
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8003902

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MEE 93008

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The wavelength tuning of GaAs laser diode is performed by means of externl optical feedback from a grating mirror. The laser diode is anti-reflection coated, and the measured reflectivity is 0.012. The measured effective reflectivity of the external grating mirror is 0.06. As a result, tuning range of about 23nm is obtained and wavelength is tuned as dicrete longitudinal mode of the solitary laser diode. To interpret the experimental result, gain spectrum is measured by Hakki-Paoli method at various injection current levels. Based on the active Fabry-Perot modelling, the entire cavity is analyzed. The threshold gain decrease by the external grating feedback is about $37cm^{-1}$. The solitary laser diode may be lasing by external grating feedback within the band which has more than $-37cm^{-1}$ gain constant in the net gain spectrum curve. The caculated band is in good agreement with the experimental tuning range, 23 nm.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 93008
형태사항 [v], 54 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Chun-Sub Kwak
지도교수의 한글표기 : 신상영
지도교수의 영문표기 : Sang-Yung Shin
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 52-54
주제 Diodes, semiconductor.
Semiconductor lasers.
Gallium arsenide semiconductors.
Cavity resonators.
Tunable lasers.
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
가변 동조형 레이저. --과학기술용어시소러스
공동 공진기. --과학기술용어시소러스
반도체 레이저. --과학기술용어시소러스
다이오드. --과학기술용어시소러스
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