For VLSI application, DCFL is needed duc to its low power consumption without decreasing the speed. DCFL requires high gate-to-channel barrier height. Existed GaAs MESFET or HFETs whose gate materials are metal or $n^+$-semiconductor have low barrier heights, 0.7-1.2[eV]. On the other hand $p^+$-type. GaAs gate offers a higher barrier height, -1.8 [eV] for channel electrons. But the barrier height for the holes in $p^+$ -type gate is -1.4 [eV]. The fabricated PI-HFETs show 1.2[V] cut-in voltage.
VLSI 구현을 위한 논리 소자로는 게이트 당 전력 소비와 빠른 속도로 인해 DCFL 이 가장 적합하다. DCFL 이 GaAs FET 로 구현되기 위해서는 트랜지스터의 channel 과 gate 사이의 에너지 장벽이 충분히 커야 한다. 기존의 MESFET 나 HFET 는 gate 물질로 금속이나 $n^+$ 반도체를 이용하므로 $0.7 \sim 1.2$ [eV] 의 에너지 장벽을 갖고 있다. 반면에 $P^+$-형 gate 를 갖는 트랜지스터는 channel 에 있는 전자에 대해 $\sim 1.8$[eV] 의 에너지 장벽을 제공한다. 그러나, $P^+$-형 gate에 있는 정공에 대해서는 $\sim$1.4 [eV] 의 상대적으로 낮은 에너지 장벽을 제공한다. 제작된 PI-HFET 에서는 1.2[V] 의 gate cut-in 전압을 갖는다.
