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5MHz-2GHz에서 동작하는 증폭기의 설계 및 제작 = Design and implementation of 5MHz-2GHz wideband amplifier
서명 / 저자 5MHz-2GHz에서 동작하는 증폭기의 설계 및 제작 = Design and implementation of 5MHz-2GHz wideband amplifier / 박천석.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1990
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8001043

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MEE 9034

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초록정보

A hybrid wideband amplifier having bandwidth from 5MHz to 2000MHz with a gain of $10db\pm3dB$ is designed and implemented by using a lossy matched network and GaAs FET. The GaAs FET exhibits a flat gain below 800MHz and a 6dB/octave gain roll off above 800MHz. A low frequency amplifier loaded with resistor and a high frequency impedance matching by using a transmission line are combined to frequency range from 5.0 to 800MHz. The lossless impedance matching circuit realized by the transmission lines is employed. Above two methods are combined by using decoupling transmission line transformers in the high frequency band (800 to 2000MHz) to decouple R-C networks and to decouple transmission line matching in the low frequency band (5 to 800MHz). The bias circuit is implemented by self bias network. This concept is implemented as two stage GaAs FET amplifier which is measured to a 10dB gain within a 2dB fluctuation over the frequency band from 5 to 2000MHz and its noise figure is measured as 4.5dB at 2.0GHz and gradually increase 9.5dB at 50MHz as the frequency decreases.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 9034
형태사항 [iii], 69 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 부록 수록
저자명의 영문표기 : Cheon-Seok Park
지도교수의 한글표기 : 나정웅
지도교수의 영문표기 : Jung-Woong Ra
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 68-69
주제 Microwave amplifiers.
Impedance matching.
Field-effect transistors.
Gallium arsenide semiconductors.
광대역 증폭기. --과학기술용어시소러스
고주파 증폭기. --과학기술용어시소러스
FET. --과학기술용어시소러스
전달 임피던스. --과학기술용어시소러스
비소화갈륨. --과학기술용어시소러스
Broadband amplifiers.
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