The development of laser diode and other semiconductor light sources invoked the needs to the detectors of light.
In this study, GaAs schottky diodes were fabricated and their photodetector applications were studied.
The LPE system was characterized at the 800℃ liquidus temperature. By the use of the system, included the undoped layer. The edge growth effect and the meltback effect were analyzed in qualitative.
GaAs schottky diodes were fabricated and their electrical and optical characteristics were examined. With buffer case, the forward electrical characteristics were superior to the diode without buffer layer. Typical diodes had the series resistance 10-20(Ω), the barrier height 0.76-0.82 eV etc..
By the LED driving circuit, the light detection characteristics were measured and compared to silicon p-i-n diodes. The improvement-of quantum efficiency is essential.
광통신을 비롯한 laser diode등 반도체광원의 용도가 증가함에 따라 여러가지 재료, 다양한 구조로 개발되고 있다.
본 논문에서는 GaAs 쇼트키 다이오우드를 제작하고 이의 수광소자에의 응용에 대해 고찰하였다.
먼저, LPE 시스템을 800℃의 성장온도에서 온도특성을 잡았다. 이를 이용해 undoped 층을 포함하는 2층 성장을 가능케 했으며, 모서리의 과성장 ( edge overgrowth )과 녹아나옴( meltback ) 현상에 대해 정성적으로 고찰하였다.
쇼트키 다이오우드를 제작하였으며 이의 전기적 특성과 수광특성을 조사하였다. 완충층( buffer )을 기른 경우 전기적 특성이 훨씬 개선됨을 보았다. 대표적인 다이오우드의 순방향 직렬저항은 10-20(Ω), ideality factor 2-2.5, 장벽전위( barrier height )는 0.76-0.82 eV 이었다.
LED를 구동하여 수광특성을 측정하였으며, 실리콘 p-i-n다이오우드 보다 속도는 빠르나 양자효율은 낮았다.