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Time-of-flight 테크닉을 이용한 수소화된 비정질 규소 p-i-n 형 다이오드의 배부 전기장 profile 에 관한연구 = Internal field profile in amorphous hydrogenated silicon p-i-n diode by time-of-flight technique
서명 / 저자 Time-of-flight 테크닉을 이용한 수소화된 비정질 규소 p-i-n 형 다이오드의 배부 전기장 profile 에 관한연구 = Internal field profile in amorphous hydrogenated silicon p-i-n diode by time-of-flight technique / 홍성주.
저자명 홍성주 ; Hong, Sung-Ju
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1987].
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4104168

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초록정보

The time of flight experiment is performed on the hydrogenated amorphous silicon p-i-n diode. External field is varied from 3000 to 20000 V/cm. The drift mobility is measured when complete charge collection is confirmed. The TOF experiment is also performed without external field and the internal field profile of the p-i-n diode is obtained. For comparison, the above procedure is repeated in the condition of AM1 illumination. For the dark condition, measured drift mobility is 0.046 ㎠/V.sec and the depletion layer width is 4700 Å. For the AM1 illumination condition, the drift mobility measured is 0.036 ㎠/V.sec and the depletion layer width is 3900 Å. The potential profile of the p-i-n diode is also calculated using determined field profile for both conditions and the results are discussed.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MAP 8722
형태사항 [iii], 46 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Sung-Ju Hong
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 43-44
주제 Silicon.
Diodes.
Time-of-flight mass spectrometry.
Electric fields.
수소화. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
다이오드. --과학기술용어시소러스
전기장. --과학기술용어시소러스
Hydrogenation.
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