InGaAsP/InP distributed feedback (DFB) laser emitting at 1.3um have been fabricated on material grown completely by LPE.
An analysis of TE mode exclusively is presented for ridge-waveguide ( or strip-loaded ) DFB laser by the effective index method approximately.
Second-order surface corrugation for 1.3um DFB lasers have been fabricated in InP and InGaAsP using holographic interference lithography and we have discussed that the mask/space ratio of 1:1 had an optimum DFB coupling strength using Fourier analysis of our grating profile.
The growth steps permit post-active-layer growth determination of the grating period, and the fabrication of this laser is simple with an automatic alignment of the current confinement to the ridge-overgrowths, which form the strip-loaded waveguide the laser.
The lateral overgrowth extending over the oxide films on both sides of the window stripe enhances the effect of grating feedback.
LPE have been employed succesfully for ridge over-grown on the corrugated surface at a low temperature of 581℃ with a cooling rate of 0.51℃/min.
1.3um 파장을 갖는 InGaAsP/InP DFB 레이저 다이오드를 제작 구동하였다. Ridge-도파관에 섭동을 주기 위해서 물결무늬 격자구조를 holography 간섭 석판 기술을 사용하여 약 4000Å의 주기를 갖도록 제작 하였다. Photoresist (PR) 를 developing한후 etching 을 할때 PR mask/space ratio 가 1:1 일때, 최적의 DFB coupling 효과를 볼 수 있음을 우리의 물결무늬 격자구조를 Fourier harmonic 을 계산함으로써 보여주었다. 도파관 구조에 맞는 물결무늬 격자구조의 주기는 길러진 3층-epitaxy 웨이퍼의 단면을 SEM 으로 관찰하여 각각의 두께를 확인 한 후 비섭동된 ridge-도파관 해석을 통하여 결정하였다.
Oxide window로 ridge를 selective epitaxy 기법으로 만들어진 물결무늬 격자구조가 없어지지 않도록 낮은 온도에서 길렀다. Window 양쪽 측면의 oxide 위로 길러진 epitaxy 는 DFB 에서 물결무늬 격자구조의 결과를 증가시켜 줄 것으로 생각된다.
