In this thesis, amorphous silicon Thin-Film Transistors (TFT's) have been designed and fabricated on a glass plate. The hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film has been deposited by decomposing silane ($SiH_4$) in hydrogen ambient by rf glow discharge method. Amorphous silicon nitride (a-SiN) has been chosen as the dielectric material. It has been prepared by decomposing the mixed gas of silane ($SiH_4$) and ammonia ($NH_3$).
The electrical properties and performance characteristics of TFT have been measured and compared with the requirements for the switching elements in 100×100 liquid crystal flat panel display. The results show that LC (liquid crystal) display can be fabricated using the TFT's presented in this thesis.
rf glow discharge 방법으로 순수한 $SiH_4$ 가스를 수소가스 분위기내에서 분해하여 만든 a-Si:H 박막과 $SiH_4$ 와 $NH_3$ 의 혼합된 가스를 분해하여 만든 a-SiN 박막 유전체를 게이트 절연물질로 사용하여 유리기판 위에 박막트랜지스터를 제조하였다.
제작한 박막트랜지스터의 동작특성을 조사하였으며, 그 특성으로부터 이 박막트랜지스터가 100×100 LCD display 에 사용되는 switching 소자가 갖추어야 할 조건들을 만족시킴을 확인하였다. 이로부터 제작한 박막트랜지스터를 사용하여 액정표시기를 제조할 수 있는 가능성을 확인하였다.
