Oxide stripe GaAs double heterostructure(DH) laser diodes were fabricated on semi-insulating(SI) GaAs substrate for optoelectronic integrated circuit(OEIC) applications in mind.
$n^-$ -GaAs/n-GaAs/$n^+$ -GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs/$p^+$ -GaAs layers were grown on the SI substrate by liquid phase epitaxy technique. Active layer thickness is 0.6 um. The n-type ohmic contact was formed on the $n^+$ -GaAs layer after chemical etching of the upper four layers.
Threshold current of 210 mA was obtained for the stripe width of 8 um and the cavity length of 340 um. This value corresponds to the threshold current density of 2700 A/㎠ of the broad-area-type laser, which is close to the theoretical value.
To further lower the threshold current, the active layer thickness must be decreased to 0.2 um.
광전자 집적회로(optoelectronic integrated circuit)에 응용할 목적으로 GaAs semi-insulating(S. I.) 기판위에 산화막 stripe구조 GaAs 이중 이형 접합 Laser diode를 제작하였다.
Liquid phase epitaxy 방법에 의해 S.I.기판 위에 $n^-$-GaAs/n-GaAs/$n^+$-GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/pAlGaAs/$p^+$-GaAs층을 성장시켰다. Laser의 활성영역 (p-GaAs)의 두께는 0.6um이다. Laser부분의 4층을 화학적 Etching으로 제거하고 $n^+$-GaAs층에 n-type ohmic contact을 형성시켰다.
8um폭, cavity length 340um에서 210mA의 threshold current density를 얻었다. 이 값은 broad area laser의 threshold current density, 2700A/㎠에 대응하는 것으로서 이론적인 값과 거의 같다.
threshold current density를 더 낮추기 위하여 활성 영역의 두께를 0.2um으로 낮추어야한다.
