A program (PRECISE) was written to calculate the two-dimensional impurity profile in silicon owing to the fabrication processes such as diffusion and ion-implantation, which facilitates the rapid prediction of the 2-D impurity profile near the mask edge or the bird's beak during the local oxidation process.
In addition, the one dimensional simulator DIFSIM was modified to include the model for ion implantation, emitter dip effect and the arsenic diffusion, which agrees fairly well with the experimental data.
확산, ion-implantation 등의 공정을 거친후의 불순물 분포를 2차원 평면에서 구해내는 프로그램을 개발하였다.
MOS 구조에서 mask 근처나 bird's beak 근처의 분포를 구함으로서 lateral 한 방향의 영향을 알아낼수가 있었다. 그리고 emitter dip 효과와 Arsenic 확산 모델과 ion-implantation 모델을 1 차원 프로그램 DIFSIM에 첨가하였는데 이는 실험결과와 잘 일치하였다.
