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$Co_2O_3$의 첨가량이 ZnO varistor 의 전기적 특성에 미치는 효과 = $Co_2O_3$ doping effects on the electrical properties of ZnO varistor
서명 / 저자 $Co_2O_3$의 첨가량이 ZnO varistor 의 전기적 특성에 미치는 효과 = $Co_2O_3$ doping effects on the electrical properties of ZnO varistor / 김명식.
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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MEE 8506

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$Co_2O_3$ additive effects on the electrical properties in ZnO varistor are investigated. As the Co cations being substituted and ionized normally to a divalent state for Zn in the lattice site of ZnO increase, the leakage current in the prebreakdown region decrease while so-called "upturn" moves into the lower current region. These phenomena may be explained by both the increase of the activation energy and the decrease of the donor density in ZnO grains, which are experimentally confirmed from the temperature dependency of V-I relationships and C-V measurements. It is likely that the number of interstitial Zn cation (or oxygen vacancy) should be reduced by the incorporation of $Co_2O_3$ additive, according to the reaction of zinc interstitial(or oxygen vacancy) with residual excess oxygen formed by the substitution effect of Co cation for Zn cation.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MEE 8506
형태사항 [iv], 53 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Myung-Sik Kim
지도교수의 한글표기 : 오명환
지도교수의 영문표기 : Myung-Hwan Oh
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
서지주기 참고문헌 : p. 50-51
주제 Varistors.
Semiconductor doping.
배리스터. --과학기술용어시소러스
도핑. --과학기술용어시소러스
전기적 성질. --과학기술용어시소러스
누설 전류. --과학기술용어시소러스
온도 종속성. --과학기술용어시소러스
Stray currents.
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