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팔라듐-비정질 규소 쇼트키다이오드의 전기용량측정에 의한 상태 밀도 결정 = Determination of density of states of amorphous silicon schottky diode by capacitance measurements
서명 / 저자 팔라듐-비정질 규소 쇼트키다이오드의 전기용량측정에 의한 상태 밀도 결정 = Determination of density of states of amorphous silicon schottky diode by capacitance measurements / 김용.
저자명 김용 ; Kim, Yong
발행사항 [서울 : 한국과학기술원, 1985].
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4103327

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초록정보

The capacitance of Schottky diodes prepared by the evaporation of Pd onto undoped and phosphorous doped a - Si : H film is studied as a function of frequency, temperature. Also the density of state distribution of undoped sample is determined from $C^2(dC/dT)^{-1}$ versus temperature plots. By this plots, the density of state distribution of undoped samples is smaller than that by Field Effect experiment and the density of state near Fermi level is $- 10^{16}ev^{-1} cm^{-3}$. In case of a doped sample, the determination of density of state near Fermi level is difficult because of thin depletion layer width.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MAP 8507
형태사항 iv, 39 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Yong Kim
지도교수의 한글표기 : 이주천
지도교수의 영문표기 : Choo-Chon Lee
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 : p. 38-39
주제 Silicon.
Palladium.
Diodes, Schottky-barrier.
Energy level densities.
비정질 반도체. --과학기술용어시소러스
규소. --과학기술용어시소러스
팔라듐. --과학기술용어시소러스
쇼트기 장벽 다이오드. --과학기술용어시소러스
상태 밀도. --과학기술용어시소러스
Amorphous semiconductors.
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