In this thesis, fabrication of silicon IMPATT diode for the microwave source was studied.
In designing the IMPATT diode, various diode parameters, such as epitaxial layer thickness and doping concentration were studied.
Care was taken in avoiding the premature breakdown and forming the uniform pn junction in fabricating the diode.
Double metallization scheme of chromium and gold film was adopted for the ohmic contact of the diode, and some improvements on the Cr film quality were needed for the better performance.
Fabricated diodes showed good forward and sharp reverse I-V characteristics.
본 논문에서는 초고주파 대역에서 신호발생원으로 사용할 수 있는 Silicon IMPATT 다이오드를 제작함에 목적을 두었다.
제 III 절에서는 간단한 IMPATT diode의 동작원리를 소개하였고, 정 특성을 알아보았다.
IV절에서는 Silicon wafer를 사용하여 IMPATT diode를 설계하는 과정 및 실제 Process를 소개하였으며 이에 대한 diode의 결과는 제V절에 보였다.
Process상의 유의점, 문제점들은 제VI절 고찰편에서 다시 다루었으며 VII절에서 결론을 맺고 있다.
