A computer program (DIFSIM : DIFfusion SIMulator) was written to calculate the impurity profile, specifically boron and phosphorus, due to three different diffusion processes-predeposition, drive-in in inert ambient, and drive-in in oxidizing ambient.
The vacancy mechanism including Fair and Tsai's theory for phosphorus diffusion was widely incorporated for modelling various diffusion processes.
The concentration-dependent oxidation rate was also explained using the vacancy model, while the oxidation-enhanced diffusion was modelled using Watkins replacement mechanism.
The simulation results using DIFSIM show a fairly good agreement with the experimental data, by adjusting some of the empirical parameters in the program.
The results obtained using DIFSIM was also compared with SUPREM II, version 0-05, the mostly being-used process simulator.
3가지 확산공정 - Predeposition, 질소 분위기 에서의 drive-in 및 산화분위기에서의 drive-in 에 대한 불순물 (붕소와인) 분포를 계산해 내는 컴퓨터 프로그램(DIFSIM)을 제작하였다.
이들 확산공정을 설명하는데는 Vacancy 메카니즘을 사용하였으며, 특히 인의 경우에는 Fair 와 Tsai의 이론을 이용하였다.
불순물 농도에 의존되는 산화속도는 Vacancy 메카니즘으로 산출하였으며, 산화공정시의 활발해지는 확산 현상은 Watkins replacement 메카니즘으로 산출 하였다.
DIFSIM 을 이용한 산출결과는 실험결과와 매우 잘 일치하였으며, 이 결과를 요즘 널리 쓰이고 있는 기존의 프로그램 SUPRENII Version 0-05의 결과와 비교해 보았다.
