Measurements of the thermoelectric power and of the electrical conductivity have been made on amorphous Ge, Si and Ge-Si alloys, prepared by vacuum evaporation.
Atomic ratio of Si-Ge alloys are 4:1, 2:1, 1:1, and 1:2. Thermoelectric powers are measured in the temperature range of 290-440˚K and conductivities in the temperature range of 140-440˚K using liquid Helium double Dewar.
Observed conductivities satisfy the $T^{-\frac{1}{4}}$ relation derived by Mott in the temperature range of 140-243˚K and the thermoelectric powers satisfy the relation $T^{\frac{1}{2}}$ derived by Mott, Overhof, Emin and Zvyagin, using the assumptions of $T^{-\frac{1}{4}}$ relation.
진공증착에 의해 만들어진 Ge, Si와 Ge 의 합금의 열기전력과 전기전도도를 측정하였다.
Si와 Ge의 합금비율은 4대1, 2대1, 1대1, 1대 2의 네가지로 하였으며 열기전력은 상온에서 170℃까지, 전기전도도는 -130℃에서 170℃까지 측정하였다.
전기전도도는 -130℃에서 40℃~70℃의 영역에서 Mott 의 variable range hopping 관계식을 만족하며 열기전력은 60℃~70℃ 까지 Mott 관계식을 기초로 유도된 $S\infty T^{\frac{1}{2}}$ 관계를 만족한다.
