Successive measurements of sheet resistance is carried out stripping the silicon surface by silicon anodization method in order to measure the diffusion profiles of impurieties in silicon. The solution of silicon anodization is Ethylene Glycol plus $KNO_3(0.04N)$ and the thickness of silicon which is removed by a single 200 volt anodization is 460 ± 40 Å regardless of wafer type. The various diffusion profiles of Boron and Arsenic in silicon for different diffusion parameters are measured and compared with one another. In addition, the dopant profiles in emitter and base region two prototype npn transistors are also obtained. Finally, the concetration dependent diffusion coefficients of Boron and Arsenic in silicon are calculated from the measured profile data of both impurities.
Silicon 에서의 impurity diffusion profile 을 측정하는 방법으로 silcon anodization 방법에 의해 연속적으로 일정한 두께의 silicon을 제거하면서 그때마다 표면에서의 sheet Resistance $\rho_s$ 를 측정하는 방법을 채택하였다.
Silicon anodization 의 전해액으로는 Ethylene Glycol + $KNO_3$ (0.04N)을 썼고 200V의 전압을 가했을때 1번의 anodization에 의해 삭감되는 silicon 두께는 wafer 의 type 에 관계없이 460 ± 40Å이다.
Diffusion 조건을 달리한 여러 sample 을 가지고 boron 과 arsenic 의 diffusion profile 을 측정, 비교 하였고 또한 npn transistor 의 emitter, base 에서 dopant profile 을 측정하였다.
끝으로 측정한 boron 과 arsenic 의 diffusion profile data 로 부터 두 impurity 의 concentration dependent diffusion coefficient 를 구하였다.
