The optical absorption and electrical transport properties of amorphous $Si_xGe_{1-x}$ alloy films prepared by vacuum evaporation were investigated. The substrate temperatures were between 300℃ and 350℃, and the deposition rates of less than 2Å/$\sec$ were employed during deposition. Hydrogenation was carried out by diffusing atomic hydrogens produced by D. C. glow discharge decomposition of hydrogen gas into the sample. The electrical conductivitites of a-$Si_xGe_{1-x}$ alloy films showed the remarkable change with X. The room temperature conductivities were observed to be in the range between $4×10^{-7}(ohm cm)^{-1}$ and $4(ohm cm)^{-1}$ with X. The room temperature conductivity of the hydrogenated sample was one tenth of that of non-hydrogenated one deposited under the same conditions. The a-$Si_xGe_{1-x}$ alloy films were found to have a large concentration of localized states in the pseudogap. At low temperatures, phonon-assisted hopping and variable range hopping mechanisms were observed. The activation energy values of a-$Si_xGe_{1-x}$ alloy films for x=0.9 and x=0.95 were 0.451eV and 0.793eV, respectively. The optical absorption edge shifted with the variation of alloy composition between Ge and Si, resulting in the change in the optical band gaps from 0.9eV to 1.6eV.
진공증착에 의하여 제작된 비정질 $Si_xGe_{1-x}$ alloy 박막의 광학적 흡수 및 전자 수송 현상을 조사하였다. 증착시 substrate 의 온도는 300℃ 에서 350℃ 사이였고 증착 속도는 2Å/$\sec$ 이하로 하였다. 제작된 시료의 hydrogenation 은 수소 기체를 D.C. glow방전에 의하여 분해해서 수소이온 상태를 만든후 시료에 확산 시키는 방법을 사용하였다.
$a-Si_xGe_{1-x}$ alloy 박막의 전기전도도는 X 값에 따라 현저한 차이를 보여 주었다. 상온에서의 전기전도도는 X 값에 따라 4×$10^{-7}(ohm cm)^{-1}$에서 $4 (ohm cm)^{-1}$ 까지 변화하였다. hydrogenation을 한 시료는 같은 조건에서 증착한 hydrogenation 을 하지 않은 시료보다 상온에서의 전기전도도가 약 1/10정도 낮게 나타났다. 본실험으로 인하여 비정질 $Si_xGe_{1-x}$ alloy 박막은 pseudogap 내에 많은 localized states 가 존재한다는 사실을 알 수 있었다. 또한 낮은 온도에서는 phonon-assisted hopping 과 variable-range hopping 과정이 관찰되었다. 비정질 $Si_xGe_{1-x}$ 박막에서 X가 9일때와 9.5일때의 activation energy 는 각각 0.451 eV, 0.793 eV 이었다.
그리고 광학적 흡수 edge 는 Ge 과 Si의 배합비에 따라서 변화하였다. 본 실험에서 제작된 비정질 $Si_xGe_{1-x}$ alloy 박막의 광학적 band gap 은 X 값에 따라서 0.9 eV 에서 1.6 eV 까지 변화하였다.
