Design and fabrication of silicon IMPATT diode that may be used for microwove source of medium power range is studied.
Various fabrication parameters concerning boron predeposition, silicon mesa etching and junction passivation are studied with respect to their influence on characteristics of the IMPATT diode.
For good dissipation of heat generated in the diode junction, excellent metallization and packaging of the diode are essential. Metallization by electroless plating is tried unsucessfully and simultaneous evaporation of chrome and gold is suggested.
Tested DC breakdown characteristics of the fabricated IMPATT wafer and its packaged diode are presented.
본 논문은 초고주파 대역중에서도 낮은 주파수 (X-Band 이하) 에서의 신호발생원으로 사용할 수 있는 씰리콘 IMPATT 다이오드를 제작함을 그 목적으로 하고 있다.
우선 Ⅲ-Ⅰ 절에서 일반적인 IMPATT이론을 다루었고 씰리콘 재질을 이용한 IMPATT다이오드 제작에 관한 설계 방법을 Ⅲ-2 절에서 알아 보았다.
Ⅳ.장에서는 실제로 행한 IMPATT Process 를 요약하여 보았으며 이 Process 를 거친 다이오드 들에 대한 실험결과 및 사진 등은 Ⅴ.장에 수록 하였다.
끝으로 Process 를 수행하면서 발견한 사항중, 앞으로 개선의 여지가 많은 것은 Ⅵ. 장의 고찰편에서 상세히 다루었고 Ⅶ. 장에서 결론을 맺고 있다.
