Silicon is the cheapest semiconductor material and easy to be treated because of its well known characteristics. The performance of silicon IMPATT diode is comparable with that of gallium arsenide. The silicon IMPATT can be fabricated simultaneously without contaminating integrated circuit process, while the gallium arsenide IMPATT requires separate facility in order to avoid the contaminations. Design process of pin type IMPATT diode and its fabrication procedures are described. Pin type IMPATT diode is fabricated by using Mesa technology and its fabrication technology is confirmed by testing breakdown voltage of the produced chips.
실리콘은 가장 값이 싼 반도체물질이며, 그 성질이 잘 알려져 있으므로 다루기에 용이하다. 한편 실리콘 임페트 다이오드는 가리움아르세나이드 ( GaAs ) 임페트 다이오드와는 달리 실리콘 직적회로 제작기구의 오염없는 동시제작이 가능하며, 그 특성도 가리움아르세나이드와 비교할만 하다. 이 논문에서는 실리콘을 재질로 하는 pin형 임페트 다이오드의 설계과정과 Mesa기술에 의한 제작방법을 보이려고한다.