A new Monte Carlo simulation including secondary electron generation has been performed to study energy dissipation in electron beam lithography. The simulation of inelastic scattering is calculated from the model of the generalized oscillator strength density distribution determined by a set of resonance energies and oscillator strengths. Varying the polymethyl-methacrylate film thickness, the energy dissipation profiles for various electron beam energies are evaluated. The effects of backscattered electrons from the silicon substrate and secondary electrons are studied with respect to film thicknesses and electron beam energies. The backscattered electrons from the Si substrate broaden the profiles, specially near the bottom layer and the secondary electrons broaden the profiles over the whole film. A time evolution of development process of the resist film is simulated using the string model. Higher energy beam developed sharper patterns than lower energy beam. The developed resist patterns are investigated with respect to distributions of the electron beam source and line/spaces, specially, in view of proximity effect. As the dose and width of the beam increase PMMA is developed winder and deeper and the proximity effect becomes more significant for the case of narrower space between lines.
전자빔 리토그라피에서 에너지 손실을 계산하기 위한 이차 전자 발생을 고려한 몬테 칼로 모의 실험을 수행하였다. 비탄성 산란은 일반화된 진동자 세기 밀도 분포 모델을 통하여 계산되었다. PMMA필름의 두께를 변화시키면서 에너지 손실 분포를 여러 전자빔 에너지에 대하여 살펴보았다. 필름 두께와 빔 에너지에 따른 Si기판에서 후방 산란된 전자와 이차 전자의 효과를 알아보았다. Si기판에서 후방 산란된 전자는 에너지 손실 분포를, 특히 바닥 층에서, 넓게 하며 이차 전자는 전 필름에서 그 분포를 넓게 하였다.
전자빔에 의하여 조사된 필름의 현상과정은 선분 모델을 이용하여 시간에 따라서 현상되는 과정을 추적하였다. 전자빔의 분포 함수와 선폭과 선간격에 따른 현상된 상의 변화를 특히 근접효과의 관점에서 살펴보았다. 전자빔의 조사량이 클수록 빔의 폭이 클수록 또한 선간격이 좁을수록 필름은 넓고 깊게 현상되었다. 근접효과는 선간격이 좁을수록 크게 나타났다.
