Shallow $p^+$-n junctions on the order of 0.1 ㎛ deep have been fabricated using boron-nitride solid diffusion sources. The process combines the hydrogen injection method and rapid thermal processing. Sheet resistances, in ranges from 50 to 130 Ω/sq with junction depths from 0.1 to 0.19 ㎛, are possible with this technique. $p^+$-n diode characteristics of 0.11 ㎛ junctions show low reverse leakage current of the order of 10 nA/㎠ and the ideality factor of 1.02 for forward bias, indicating the possibility of this method to form PMOS source/drain contacts.
Shallow phosphorus $n^+$-p junctions have also been fabricated by rapid thermal processing using the planar diffusion source PH 1000N. Phosphors junctions with sheet resistances in ranges from 34 to 102 Ω/sq can be achieved with junction depths from 0.12 to 0.22 ㎛. The phosphorus $n^+$-p junction diode fabricated with this technique have shown somewhat inferior characteristics in comparison with implanted arsenic junction diodes, showing the reverse leakage current of about 100 nA/㎠. However, the process is considered applicable to the NMOS source/drain contacts.
고체확산 source를 사용하여 0.1 ㎛ 정도의 깊이를 갖는 얕은 $p^+$-n 접합형성에 성공하였다. 수소주입법과 보론나이트라이드 고속열공정을 결합한 공정을 이용하였다. 이 결합공정으로 50 내지 130 Ω/sq 의 면저항 값을 갖는 0.1 ㎛ 내지 0.19 ㎛ 깊이의 접합형성을 실현하였다. 0.11 ㎛ 접합 깊이를 갖는 $p^+$-n 다이오드를 제작하여 10 nA/㎠ 의 역방향 누설전류와 ideality factor 1.02 의 순방향 특성을 볼 수 있었다. 따라서, 이 공정으로 PMOS의 소오스/드래인 contact을 형성하는 가능성을 보여주었다.
또한 고체확산 source PH1000N을 사용하고 고속열공정으로 얕은 $n^+$-p 접합형성에도 성공하였다. 이 공정으로 34내지 102 Ω/sq 의 면저항 값을 갖는 0.12 에서 0.22 ㎛ 깊이의 인(P) 접합형성을 실현하였다. 이 공정으로 $n^+$-p 접합 다이오드를 만들어 본 결과 역방향 누설전류가 100 nA/㎠ 로써 이온주입된 비소(As) 접합 다이오드에 비해 그 특성이 다소 떨어지는 점이 있으나, NMOS 소오스/드래인의 contact으로 사용할 수 있을 것으로 판단된다.