The phase velocity and attenuation of SAW in phosphorus-implanted Si coupled with the interdigital transducer has been derived theoretically considering both the mechanical and electrical perturbations and compared with experimental results. The dose of phousphorus implanted in the boron doped Si varied from $1×10^{11}$ to $5×10^{14}cm^{-2}$ at 80 KeV and the diffusion of phosphorus derived by the Gaussian profile showed the damage enhanced diffusion due to the induced damage by the implantation. The mechanical perturbation contributed significantly to the phase velocity change in both as-implanted and annealed Si, as a result the overall velocity increased by the stiffening effect. The velocity in annealed Si decreased due to the dielectric relaxation. The attenuation in as-implanted Si increased slowly with the dose due to the damage. On the other hand, the phase velocities measured by the wedge transducer decreased due to the induced damage in the as-implanted Si, and due to the carrier concentration effect in the elastic constant. The decreases of velocity showed the same behaviors with the modified perturbation equations.
Interdigital 과 wedge 변환자로써 표면탄성파의 속도와 감쇄를 이온량 $10^{11}-5 ×10^{14}cm^{-2}$ 의 phousphorus 이온이 주입된 Si 에서 측정하였다. 열처리 된 Si 에서 Gaussian 확산 가정으로 얻어진 damage enhanced 확산계수는 이온량의 증가에 따라 증가하다가 감소하였으며, 이것은 damage 가 불순물 화산에 기여하는 것을 잘 나타내 준다. Interdigital 변환자로 측정된 속도와 감쇄는, 열처리된 Si 에서는 전자 농도 $10^{15}-10^{17}cm^{-3}$ 에서 크게 변하였고, 이것은 유전체 완화로서 설명되었다. 열처리되지 않은 Si 에서는 속도는 이온량에 무관하며 감쇄는 이온량 증가에 따른 damage 영향으로 증가하였다. 공기층이 존재하는 구조임에도 Si 에 의한 stiffening 효과가 측정되었으며 전기적과 역학적 섭동을 합한 overall 섭동 이론은 stiffening 효과와 잘 일치하였다. 한편 wedge 변환자로 측정된 속도는, 열처리된 Si 에서 전자 농도의 증가에 따른 감소를 보였으며, 전자농도에 의한 탄성 계수 감소로 설명하였다. 열처리되지 않은 Si 에서는 이온량 증가에 따른 damage 증가로 인한 속도의 감소가 측정되었다.
