단층 박막 및 초격자 비정질 규소의 잔류 광전기 전도 현상의 근원을 규명하기 위하여 열처리와 Ar이 단층 박막 비정질 규소의 잔류 광전기 전도도에 미치는 효과와 불순물 농도와 열처리가 초격자 비정질 규소의 잔류 광전기 전도도에 미치는 효과를 연구하였다.
단층 박막의 잔류 광전기 전도 현상은 Ar양에 크게 의존하였으며 약 500℃ 정도의 열처리로 거의 완전히 없어진다는 사실을 관찰하였다. 이러한 실험 결과로부터 단층 박막 비정질 규소의 잔류 광전기 전도현상은 시료의 미세구조와 밀접한 관련이 있다는 것을 확인하였으며 이 현상을 설명할 수 있는 간단한 model을 제시하였다. 초격자 비정질 규소의 잔류 광전기 전도 현상은 p층 뿐만 아니라 n층의 불순물 농도에도 크게 영향을 받았으며 약 300℃의 열처리에 의해 그 현상이 거의 제거되었다. n층과 p층의 경계부근에 생긴 P-B complex 중에서 p층 쪽에 P,B,H로 구성된 complex 를 가정하므로써 초격자 비정질 규소의 잔류 광전기 전도 현상을 설명하였다.
