A 15.5 dB, 17 mW, 240 GHz amplifier in 65 nm CMOS by correct interpretation and implementation of maximum achievable gain = 최대 구현 가능 이득에 대한 정확한 해석과 구현방법에 따른, 65 nm CMOS 기반의 15.5 dB, 17 mW, 240 GHz 증폭기

• 서명 / 저자: A 15.5 dB, 17 mW, 240 GHz amplifier in 65 nm CMOS by correct interpretation and implementation of maximum achievable gain = 최대 구현 가능 이득에 대한 정확한 해석과 구현방법에 따른, 65 nm CMOS 기반의 15.5 dB, 17 mW, 240 GHz 증폭기 / LamHuu, Bao.
• 발행사항: [대전 : 한국과학기술원, 2014].

Design of millimeter-wave (mm-wave) amplifiers beyond 100 GHz proves challenging. This thesis summarizes the challenges in mm-wave amplifier design as well as various approaches in dealing with them. A current review of the state of the art is also discussed. A gain-boosting technique based on the correct interpretation and implementation of the Maximum Achievable Gain $G_{max}$ is also introduced. Finally, a high gain, low power 240 GHz amplifier in 65 nm CMOS is presented, which shows the best performance among all other previously published works.

100GHz 이상의 milimeter-wave 대역에서 동작하는 증폭기의 설계는 간단치 않은 작업이다. 이 논문에서는 mm-wave 증폭기 설계를 위한 다양한 접근방식에 대해 정리 하였다. 현재의 최신 기술동향과 더불어 제안된 최대 구현 가능 이득에 대한 정확한 해석과 구현방법을 소개하였다. 최종적으로 이전에 발표된 논문보다 우수한, 15.5dB의 Gain과 17mW 의 적은 파워를 보이는 240GHz 증폭기를 설계하여 보았다.

• 형태사항: v, 43 p. : 삽화 ; 30 cm
• 언어: 영어
• 일반주기: 저자명의 한글표기 : 람후바오 ; 지도교수의 영문표기 : Sang-Gug Lee ; 지도교수의 한글표기 : 이상국 ; Including Appendix
• 학위논문: 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학과,
• 서지주기: References : p. 31-32