a-Si / c-Si HJ solar cell have many merits such as relatively low production cost, high
efficiency and simple process. From the process optimization, 11.14% of HJ solar cell was
made. I found 3 method to increase conversion efficiency of a-Si/c-Si heterojunction solar
cell. First, I used TMAH solution for the texturization to avoid K+ ion contamination. And
uniform texture was obtained by several drops of HMDS because HMDS help to make
hydroxyl ions in the solution. So conversion efficiency increased from 11.14% to 12.27%.
Second, generally, RF magnetron sputtered ITO thin film at RT is used as a TCO in HJ solar
cell. Post annealing process is essential to improve solar cell performance and UV treatment can be alternative process of annealing. With ITO post UV treatment conversion efficiency increased 1%. Third, intrinsic a-Si layer is usually used as a buffer layer of HJ solar cell and it increase Voc and FF. Also interface of TCO and p-a-Si is also bad. So insertion of new buffer layer, UV-treated WOx, can improve Voc and FF of the cell. From these studies, we improved solar cell performance and could found a possibility of high efficiency HJ solar cell
비정질/결정질 실리콘 태양전지는 낮은 생산단가, 높은 변환효율, 그리고 단순한 공정이 가능하다는 메리트가 있다. 공정 조건의 최적화를 통해 11.14%의 효율을 가지는 이종접합 실리콘 태양전지가 만들어졌다. 실험을 통해 비정질/결정질 이종접합 태양전지의 효율을 상승시키는 3가지 방법에 대해 연구를 했다. 처음으로 K+이온에 의한 오염 문제를 방지하고자 TMAH 용액을 표면요철화에 사용하였다. 그리고 HMDS를 몇 방울 첨가하여 균등한 표면 요철을 었었는데 이는 HMDS가 용액에 수산화 이온의 농도가 높아지는 것을 도와주기 때문이다. 그 결과 변환 효율은 11.14%에서 12.27%로 증가하였다. 두 번째로 상온에서 RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 인듐 주석 산화물 박막은 이종접합 실리콘 태양전지에서 일반적으로 투명전극으로 사용된다. 후 열처리 방식은 태양 전지의 성능 향상을 위해 필수적이고 자외선 후처리가 이러한 열처리의 대안이 될 수 있다. 인듐 주석 산화물의 자외선 후처리를 통해 변환 효율이 1% 상승하였다. 세 번째로, 진성 비정질 실리콘 박막은 일반적으로 이종접합 태양전지에서 개방전압과 충실도를 높이기 위해 버퍼층으로 사용된다. 그리고 투명전극과 p층의 계면상태가 좋지 않다. 그래서 자외선 후처리된 텅스텐 산화물 박막을 삽입합으로써 개방전압과 충실도를 높일 수 있다. 이러한 연구를 통해 태양 전지의 성능을 향상시켰고 이종접합 태양전지의 고효율화를 위한 가능성을 엿보았다.