Synthesis of quaternary metal germano-silicide nanowires using metal foil
and its transport property, structure analysis
In this study, we demonstrate synthesis method, transport properties and structure analysis of (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 nanowires (NWs). Single-crystalline (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 NWs have been synthesized on a vanadium foil by chemical vapor deposition method (CVD method) without catalyst. Vanadium foil was employed as a substrate and precursor in this experiment. In addition, we have tuned composition ratios of Germanium and Silicon by adjusting the substrate temperatures. We observed this fact using transmission electron microscopy-energy dispersive spectroscopy(TEM-EDS) and obtained information about locations of Ge and Si in (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 NWs through Cs- corrected scanning transmission electron microscopy(STEM). It shows competitive filling of Ge and Si in (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 NWs. Finally, we measured electrical transport property of (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 NW, which shows the lowest resistivity(8.5μΩcm) among metal silicides or metal germano-silicides. Therefore, the (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 NWs can be applied a further step toward realizing CMOS or MOSFET for manufacturing.
Synthesis of Fe9Te8 nanoplates and its layered structure analysis, transport property
Single crystalline Fe9Te8 nanoplates (NPs) have been successfully synthesized using simple chemical vapor deposition (CVD) method in absence of any foreign catalyst. Synthesis conditions were followed with separated two heating zone temperature, low pressure (10Torr) and 30sccm Ar flow on c-plane sapphire substrate. Transmission electron microscopy (TEM) and selected area electron diffraction (SAED) studies show single crystallinity of the Fe9Te8 NPs. Furthermore, we confirm that Fe9Te8 NP has a layered structure using CS-corrected scanning TEM (STEM). This layered structure is the largest feature of Fe-based superconductors. Therefore, we expect that superconductivity appear in Fe9Te8 NPs.
금속 호일을 도입한 4성분계 금속 게르마늄규화물 나노선의 합성과 운반특성 및 구조 분석
이 연구에서 우리는 (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 나노선의 합성방법과 운반특성, 구조분석을 설명한다. 단결정 (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 나노선은 바나듐 호일위에서 증기증착법을 통해 촉매없이 합성되었다. 위 실험에서 바나듐 호일은 기판과 선구물질의 역할을 한다. 게다가 우리는 기판 온도의 조절을 통해서 게르마늄과 실리콘의 함량비율을 조절하였다. 우리는 이러한 사실을 투과전자현미경 에너지 분광 분석기를 통해 얻었으며, 구면수차보정 투과전자현미경을 통해 나노선에 포함관 게르마늄과 실리콘의 구조적 위치에 대한 정보도 얻을 수 있었다. 이들은 (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 나노선 안에서 경쟁적인 채워집을 보이는 것을 알 수 있었다. 마지막으로 우리는 (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 나노선의 운반특성에 대해 측정하였고, 8.5μΩcm의 아주 작은 비저항 값을 얻을 수 있었다. 이를 통해 (Nb0.98V0.02)10(SiXGe1-X)7 나노선은 CMOS나 MOSFET의 제조에 유용하에 쓰일 수 있을 것으로 기대한다.
Fe9Te8 나노판의 합성과 이의 층상구조 분석 및 운반특성 측정
단결정 Fe9Te8 나노판은 외부의 촉매없이 간단한 화학증기증착법을 통해 성공적으로 합성되었다. 합성조건은 분리된 두개의 가열구역이 있는 도가니에서 10Torr의 낮은 압력과 30sccm의 Ar기체를 흘려주면서 c-plane 사파이어 기판위에서 합성되었다. 투과전자현미경과 선택구역전자회절패턴을 통해 Fe9Te8 나노판이 단결정임을 확인하였다. 게다가 우리는 Fe9Te8 나노판이 층상구조를 갖는 것을 구면수차보정 투과전자 현미경을 통해 확인하였다. 이러한 층상구조는 Fe를 기본으로한 초전도체의 가장 큰 특징이다. 이를 통하여 우리는 Fe9Te8 나노판에서 초전도현상이 측정되는 것을 기대한다.