Thermoelectrical Pulse Induced Evaporation (TPIE) is a method for synthesizing nanostructures without catalysts in ambient conditions. Various types of carbon nanostructures such as carbon dots, carbon nanotubes, or graphene flakes have been obtained by setting Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) as precursor. On the other hand, graphene as a substrate for electronic devices has been attracted significant interest. However, stability of point defects in graphene, whose presence is known to influence mechanical strength, chemical activation, and magnetoresistance, is rarely studied in strong electric field.
In this study, Density Functional Theory (DFT) calculation on two types of self-interstitials (SI’s) in external electric field was performed.
열전기적 펄스에 의한 증발(TPIE)은 별개의 촉매 없이 나노 구조를 합성할 수 있는 기술로, HOPG를 전구체로 하여 탄소나노튜브 및 그래핀 등의 탄소 나노구조를 합성한 바 있다. 또한, 그래핀은 전자소자의 핵심물질 중 하나로 각광받고 있으나, 기계적, 화학적, 전기적 특성 등에 영향을 끼치는 점결함의 강한 전기장 내에서의 안정성에 대하여는 연구된 바 없다. 본 연구에서는 전자밀도범함수론(DFT)을 이용하여 전기장 하에서 그래핀 상의 자기침입형 점결함의 에너지 및 거동을 계산하였다.
