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펄스 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ITO 막박 증착에 관한 연구 = Characteristics of ITO thin film by using pulsed-DC magnetron sputtering
서명 / 저자 펄스 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ITO 막박 증착에 관한 연구 = Characteristics of ITO thin film by using pulsed-DC magnetron sputtering / 이진우.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2011].
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8022477

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MPH 11004

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초록정보

ITO thin film has been actively studied recently. Though ITO is used for cathode of lots of devices nowadays, its lack of storage and high cost acted as obstacles for effective usage of ITO. It is anticipated that there would be gradual request for more advanced devices and machines, so we need to develop technique and condition to make a better ITO thin film. On this experiment, I used Pulsed-DC magnetron sputtering, which is not only for ITO but also insulating thin film to deposit usefully. The reason why I chose Pulsed-DC power is to get advantages of both DC and RF at the same time. So it`s conducted to deposit ITO on the glass. Here, I`ve changed some conditions and take different samples (conditions: power, oxygen partial pressure, gas ratio fixed-total gas flow rate, center magnet strength). As a result, in order to get a better ITO thin film, we need to inject almost no oxygen on chamber. Also important is gas ratio, so one doesn`t have to concentrate on changing the total gas flow rate with fixed the gas ratio. As center magnet strength increased, I could get a better sample - especially 9 center magnets sample showed the optimized value. At last, 20W is the best point to show the good film property. So as to get good results, it`s really important to control the different kind of particles and plasma confinements. So I need to do some simulations for B-field and study about this. Finally, I`m going to work for Grid-assisting magnetron sputtering of Al on OLED for damage free.

ITO 박막은 최근 왕성하게 연구되고 있다. 요근래 ITO는 많은 장치의 전극으로 사용되고 있지만, 저장량 부족가 고가라는 점이 ITO의 효과적인 사용의 장애가 되고 있다. 더 나은 장치과 기계의 점진적인 요구에 의해 좀 더 나은 ITO 박막의 증착을 위한 조건과 기술에 대한 발전이 요구되어지고 있다. 이 실험에서 나는 ITO 뿐만 아니라 절연체의 박막 증착에 사용되는 Pulsed-DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하였다. Pulsed-DC 전원을 이용한 까닭은 DC와 RF에서 얻을 수 있는 장점을 모두 얻을 수 있기 때문이다. 그래서 유리판 위에 ITO를 증착하는데 사용되었다. 여기서 나는 몇가지 조건에 변화를 주었고, 서로 다른 결과를 얻게 되었다.(조건:전원, 산소의 분압, 총유량 변화없는 가스의 비율, 가운데 자석의 세기). 그 결과 좋은 ITO 박막을 얻기 위해서는 산소를 챔버내에 거의 넣지 않는 것이 가장 적합하다는 것을 알게 되었다. 또한 산소의 비율도 중요했는데, 가스의 비율을 고정하고 총량을 변화하는 것은 의미가 없다는 것을 알게 되었다. 가운데 자석의 세기 경우엔, 가운에 자석이 9개가 되는 경우 가장 좋은 막질을 갖는 박막을 얻게 되었다. 마지막으로 전원은 20W에서 가장 좋은 막질을 보여주는 샘플을 얻게 되었다. 좋은 결과를 얻기 위해서는 여러 종류의 입자들과 플라즈마의 집중을 조절하는 것이 가장 중요하다. 그렇기 때문에 자기장 시뮬레이션이 필요할 것이고, 이에 대한 연구가 더 진행되어야 할 것이다. 마지막으로 그리드를 이용한 마그네트론 스퍼커링을 이용하여 OLED위에 알루미늄을 증착하는 실험을 지속할 것이다.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 11004
형태사항 ii, 35 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jin-U Lee
지도교수의 한글표기 : 장홍영
지도교수의 영문표기 : Hong-Young Chang
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 참고문헌 수록
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