Phosphorus doped silicon is not only used for industrial purpose as n-type semiconductor but also could be used for Solid state NMR quantum computer material. So Obtaining information of spin relaxation time is meaningful. We obtained information of the quantum mechanics phenomenon region(below liquid nitrogen temperature) and different environment especially very low magnetic field(below 100Gauss). We have performed low field ESR experiment and we found out ESR signal at the concentration region 1.4´$10^{18}$ / cc . This concentration is in the intermediate concentration region where metallic cluster and non metallic donor coexist. For these reason we expected different quantum mechanical phenomenon in the different concentration and acquired information of spins by getting T1,T2 information.
인이 도핑된 실리콘은 N형 반도체로서 널리 산업적으로 활용되고 있어 이 물질의 물성 정보를 알아내는 것은 학술적으로나 산업적으로 활용도가 높다고 하겠다. 뿐만 아니라 Si:P는 고체 핵자기 공명 양자 컴퓨터를 구현하기 위한 물질로 쓰인다. 이를 위해서 Si:P물질내의 핵과 전자의 스핀 완화 시간의 정보를 알아내는 것은 매우 중요하다. 그래서 본 연구에서는 양자 현상을 보기 위해 액화 질소 온도 이하에서 실험을 하였으며, 특히 기존의 ESR 실험의 자기장에 비해 상대적으로 아주 작은 자기장(100Gauss이하)에서 실험을 하게 되었다. 실험 결과 인 도핑 농도 1.4x$10^{18}$/cc 에서 신호를 보았으며, 이 농도의 Si:P에서 얻은 ESR 신호로부터 T1,T2 정보를 알아 내었다.
