In this thesis, a new linearity improvement technique is proposed to implement a low-distortion Gm-C band-pass filter working in high IF ranges. The purpose of the linearization technique is to eliminate value $G_m$" of the transconductor by employing a superposition method that combines two opposite non-linear behaviors of the two parallel wings designed inside the transconductor. For the band-pass filter, instead of conventional biquad structure, a resonant-coupling structure is adopted for the band-pass filter working at center frequency of 80MHz to make the frequency response flat and stable and to allow a stable frequency tuning as well as a flexible bandwidth tuning. Fabricated in 65nm CMOS process, the implemented IF band-pass filter provides a flat band-pass whose ripple is smaller than 0.1dB, a third-order rejection of 27dB, an IIP3 of -2dBm, and a NF of 21.5dB, while consuming 11mA from 1.2-V supply. The filter occupies a chip size of $0.5 \times 0.5 mm^2$.
이 논문에서는, 새로운 선형 개선 기술을 필터 범위를 높이면 작업 패스 - C를 밴드 낮은 왜곡을 구현하는 GM의 제안이다. 선형화 기법의 목적은 두 가지 반대가 아닌 두 개의 병렬 날개 transconductor 내부 설계의 선형 동작을 결합하여 놓기 방식을 채용하여 transconductor의 가치가 GM의 제거하는 것입니다. 밴드, 종래의 biquad 구조, 공명 - 커플링 구조를 대신 밴드 필터를 80MHz의 중심 주파수에서 주파수 응답은 평평하고 안정적이고 안정적인 주파수뿐만 아니라 튜닝을 허용할 수 있도록 최선을 통과 필터를 통과 채택 유연한 대역폭을 조정. 는 65nm CMOS 공정에서 구현된 경우 밴드 패스 필터 조작보다 작은 0.1dB, 27dB의 3 명령 거부의 IIP3 - 2dBm이며, 21.5dB의 NF, 플랫 밴드 - 누구의 리플을 통과 제공하는 소비 11mA 1.2 - V를 공급했다. 필터는 $0.5 \times 0.5 mm^2$ 의 칩 크기를 차지합니다.