Graphene is a single layer of sp2-bonded carbon atoms arranged in a honeycomb lattice, which shows unique electronic properties. Graphene channel field-effect devices are fabricated by using silicon dioxide/silicon wafers as a global back gate. An optimized silicon dioxide thickness is found and an aluminum oxide interlayer is applied to improve graphene-substrate adhesion. Effect of vacuum annealing on device performance has been investigated.
그래핀은 sp2 결합을 하는 탄소로 이루어진 벌집모양의 배열을 가진 단원자 층이며, 우수한 전기적인 특성을 나타낸다. 그래핀 채널 전계 효과 소자는 $SiO_2/Si$ 기판을 사용하여 제작되었다. 그래핀 제작에 최적화된 $SiO_2$ 두께는 300nm로 알려져 있으며, 그 위에 그래핀과 밑 기판과의 접착력을 향상 시키기 위해서 $Al_2O_3$ 를 $SiO_2$ 위에Interlayer로 사용하였다. 진공열처리 과정의 효과를 알아보기 위해서 소자의 전기적 특성을 비교 분석 하였다.
