A flexible type of resistance random access memory (RRAM) is presented that shows good flexibility, endurance, and memory performance. The flexible substrate is PES (polyethersulfone) and aluminum is used for the top and bottom electrodes. Two materials, $HfO_2$ and $TiO_2$, are used as the insulator layer. All process flows are compatible with conventional silicon technology. The simple structure, metal-insulator-metal (MIM), of the flexible RRAM leads to excellent flexibility and lower processing costs compared to other current flexible memories. In addition, flexible RRAM shows no degradation under severe conditions that are otherwise detrimental to electronic devices, such as exposure to $\gamma$-ray irradiation, dipping at harsh aqueous solutions, neuron cell culturing process, and repeated folding stress. These results imply that the application of flexible RRAM is not limited to flexible versions of typical electronic devices but can also be introduced to aerospace, bio-medical, low-cost consumable, and wearable memory devices.
휘어지는 형태의 Resistance Random Access Memory (RRAM) 이 처음으로 제작되었고 그 특성을 연구하였다. 이 flexible RRAM 은 훌륭한 휘어짐, 내구성, 그리고 메모리 성능을 보여주었다. 휘어지는 기판으로는 PES (Polyethersulfone) 이라는 플라스틱을 사용하였으며, 알루미늄이 상부전극, 하부전극의 물질로 사용되었다. 또한 $HfO_2$, $TiO_2$ 가 저항변화 물질로서 연구되었다. Flexible RRAM이 가지는 장점으로 모든 공정 과정이 기존의 실리콘 기술에 쉽게 융합될 수 있다는 점과, 금속-절연체-금속 (metal-insulator-metal, MIM)의 매우 간단한 구조를 가지기 때문에 다른 기존의 메모리에 비해 매우 저렴한 공정비용이 소모되며, 훌륭한 휘어짐을 보여준다는 점 또한 큰 장점이다. 또한 flexible RRAM은 다른 일반적인 전자소자에게는 치명적인 환경으로부터 강한 내구성을 보여주었다. 그 예로, 감마선을 조사하거나, 다량의 이온이 포함된 용액에 장시간 담궈 두거나, 신경세포를 메모리 디바이스 위에 2주간 배양하여도 메모리 성능이 전혀 변하지 않았다. 이러한 결과들은 RRAM이 단순히 휘어지는 메모리로서의 가능성뿐만 아니라, 우주에서 사용 가능한 메모리, 생체 이식 가능한 메모리, 매우 저렴한 쉽게 버릴 수 있는 메모리, 투명하여 입을 수 있는 메모리 등의 응용 분야에 적용 가능함을 의미한다.