Recent RF MOSFET models include substrate resistance because it affects the small-signal output characteristics of MOSFETs at high frequencies. However, there has been no report for simple extraction method of substrate resistance. In this paper, a simple and accurate method for extracting substrate resistance of an RF MOSFET is proposed. The extraction results from the measured network parameters are presented for various bias conditions and devices with different geometries.
MOSFET의 기판 저항 성분은 높은 동작 주파수에서 MOSFET의 출력 임피던스에 많은 영향을 끼치기 때문에 이 저항 성분의 값을 정확히 추출하고 모델링하는 것이 필요하다. 본 논문에서는 RF MOSFET의 기판 저항의 값을 간단하고 정확하게 추출하는 방법을 제시하였다. 그리고 제안한 방법을 이용하여 MOSFET 기판 성분의 값을 추출하는 과정을 보여주었다.
또한 추출한 결과를 분석하여 MOSFET의 게이트 단자에 인가된 전압 조건이 기판 저항 추출에 어떤 영향을 끼치는지 고찰하였으며, 가장 정확하게 추출할 수 있는 전압 조건을 제시하였다. 그리고 MOSFET 소자의 layout에 따라서 기판 저항의 값이 어떻게 scaling 되는지를 보여주었다.
이를 통해 RF MOSFET의 기판 성분을 모델링하고, 소자의 layout에 따라 기판 저항의 값을 예측하는 데에 많은 도움을 줄 수 있을 것으로 기대된다.
