Er-doped Si/$SiO_2$ superlattices thin films are deposited by electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition method with co-sputtering of Er-target. $Er^{3+}$ ions in such superlattices can be excited by carriers showing efficient excitation of $Er^{3+}$ ions. As Si layer thickness decreases $Er^{3+}$ luminescence increases due to band gap widening by confinement effect of Si nanoslabs. Due to increase of Er separated from Si layer, $Er^{3+}$ luminescence intensity increases as $SiO_2$ layers thickness increases. Finally, we fabricate diode structure using such films for application. The implication of results will be also discussed.
광전자공학적 응용을 위한 어븀이 도핑된 실리콘/실리카 초격자의 성질에 대해서 살펴보았다. ECR PECVD 방법에 의해 어븀이 도핑된 실리콘/실리카 초격자 박막을 증착했으며 carrier-mediated 과정이 어븀의 가장 중요한 여기 과정임을 알았다. 실리콘 층의 두께가 증가할수록 양자 구속효과에 의한 에너지 띠 간격의 증가 때문에 어븀의 광발광의 세기기 세진다. 또한 실리콘과 직접 접촉되지 않은 어븀양의 증가 때문에 시리카 층의 두께가 두꺼워 질수록 어븀의 광발광 세기가 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 마지막으로 응용을 위해서 우리가 증착한 박막을 가지고 다이오드 구조를 만들었고, 전류가 흐르는 것을 확인했다.
