In this thesis oscillator is made by three active devices such as MESFET, MOSFET, and BJT. MESFET and MOSFET oscillator are made in monolithic type and BJT oscillator in hybrid type.
In MESFET oscillator it is the first trial to use the differential scheme in order to reduced 1/f^{3} phase noise region. Novel push-push scheme is proposed to reduce 1/f^{2} phase noise region
In MOSFET oscillator the differential scheme and the novel push-push scheme is also used to reduce phase noise.
In BJT oscillator the typical colpitts topology is used. The oscillator satisfy the CDMA phase noise spec.
본 논문에서는 세가지 소자 ( MESFET, MOSFET, BJT ). )를 이용하여 발진기가 설계되거나 제작되었다. MESFET과 MOSFET 발진기는 monolithic IC type 으로 설계되었고 BJT 발진기는 hybrid type 으로 제작되었다.
MESFET 발진기에서 1/f^{3} 위상 잡음 영역을 줄이기 위해 차동 형태로 설계되었으며 1/f^{2} 위상 잡음 영역을 줄이기 위해 새로운 형태의 푸쉬-푸쉬 발진기를 제안하였다.
MOSFET 발진기에서도 위상 잡음을 줄이기 위해 차동형태와 제안된 푸쉬-푸쉬 형태로 설계되었다.
BJT 발진기는 colpitts type으로 제작되었으며 위상 잡음이 CDMA spec.을 만족한다.