A simple parameter extraction method of substrate resistance is proposed. And physical behaviors of the substrate resistance for CMOS RF modeling such as the drain bias dependency, the effect of the body contact width ans STI (Shallow Trench Isolation) distance are observed. The analyses of simulation results and measurement data are described. And validation is carried out then drawn conclusions.
본 논문에서는 RF MOSFET의 기판저항을 간단하게 뽑는 방법을 제안하고, 시뮬레이션과 측정을 통한 S-파라미터로부터 기판저항과 접합 커패시턴스 파라미터들을 추출하여 RF COMS 모델링을 위한 기판저항의 물리적 특성을 살펴보았다. 기판저항은 게이트 바이어스에 대해서 크게 영향을 받지 않는다는 가정하에, 드레인 바이어스에 대해서 기판저항은 아주 약간 감소하는 경향을 보이며, 기판의 컨택이 멀리 있을수록 저항이 커짐을 아 수 있었다. 제안한 방법은 다바이스가 꺼져 있는 상태에서 아주 간단한 방법으로 뽑아낸 기판저항의 값을 가지고 디바이스가 켜져 있는 상태에서 아주 간단한 방법으로 뽑아낸 기판저항의 값을 가지고 디바이스가 켜져 있는 상태에서도 매크로모델링을 한 결과와 측정치가 잘 맞는 것을 보임으로써 RF MOSFET 의 고주파 특성을 잘 예측하며 가정또한 합당함을 검증하였다.
제안된 기판저항을 포함하는 RF CMOS 모델은 정확한 intrinsic 모델과, 궁극적으로 대신호 모델과 연계하여 정확한 RF MOSFET 모델을 구현하는데 적용될 것으로 기대된다.
