납을 이용한 결함유발법(Defect Mediated Growth)을 통해 은과 구리를 금(111)평면위에 에피텍시(epitaxy)한 금속층을 만들었다. 주사투과현미경(STM)실험은 은과 구리가 금(111)위에 2차원적으로 자라는 것을 보여주었다. 금속층이 만들어지는 중에는 결함유발법을 사용함으로써 표면에 증가된 아일랜드 밀도가 증가된 것이 관찰되었다. 이 높은 아일랜드 밀도가 보통의 3차원적이 금속층형성에서 2차원적인 형성으로 바꾸는 역할을 한다. (Figure 2, 3, 11) 입혀진 은(111)과 구리(111)의 본체 성질(bulk property)과 표면상태는 XRD실험과 납의 UPD반응을 통해서 에피텍시를 확인하였다. 입혀진 층의 납오염이 없음을 Auger Spectroscopy를 통해서 알 수 있었다.
금(111)(0.288nm)과 은(111)(0.288nm) 사이에서는 격자점의 불일치(lattice mismatch)가 거의 0이다. 반면 구리(111)(0.256nm)와 금(111)(0.288nm)사이에서는 이 값이 약 11%정도로 크다. 일반적으로 이 값이 10%보다 작아야 에피텍시가 된다는 것이 알려져있다. 결함유발법은 계면의 피로(strain)가 큰 경우에도 2차원적인 에피텍시를 이룰 수 있다는 것을 보여주었다. 하지만 금(111)위에 구리층의 경우 계면 피로가 존재하게 되는데 이를 없애줄 완층작용(relaxation process)에 대해서는 이번 실험을 통해서 알 수 없었다.
