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3차원 미소구조체 이용한 RF용 High Q 가변 커패시터 = High Q variable capacitor for RF application fabricated by 3-dimensional MEMS technology
서명 / 저자 3차원 미소구조체 이용한 RF용 High Q 가변 커패시터 = High Q variable capacitor for RF application fabricated by 3-dimensional MEMS technology / 장재홍.
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 2000].
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8010510

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학술문화관(문화관) 보존서고

MEE 00080

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초록정보

Micromachined Variable capacitors using copper have been designed and fabricated as the tuning element in voltage-controlled oscillatrs, VCOs, in RF applications such as cellular phones. Compared with the traditional solutions relying on varactor diode, this approach is amenable to monolithic integration in a standard electronic circuit process without sacrificing performance. Experimental devices consisting of two parallel micro copper plates supported by copper springs have shown 50% variation of the capacitance with DC tuning voltages below 5 volts. At 4.5GHz, the quality factor, Q, has been measured as 15 after de-embedding. This quality factor is considered to be limited by the substrate loss in silicon substrate.

서지기타정보

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청구기호 {MEE 00080
형태사항 iii, 55 p. : 삽화 ; 26 cm
언어 한국어
일반주기 저자명의 영문표기 : Jae-Hong Chang
지도교수의 한글표기 : 김충기
지도교수의 영문표기 : Choong-Ki Kim
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학전공,
서지주기 참고문헌 : p. 56-58
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