Using Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) during Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (ECR-PECVD), fully polycrystalline silicon thin films were deposited on $SiO_2$ at temperature much lower than is possible without implantation. At same deposition temperature, PIII-deposited films have larger grain size than films deposited without PIII. PIII-deposited film was fully polycrystalline right down to Si/$SiO_2$ interface, while film deposited without PIII had a mixed amorphous/polycrystalline layer at interface. The very thin fully polycrystalline thin film(~30 nm) were fabricated in this method and the deposition temperatures of fully polycrystalline silicon thin film were lowered by nearly 200 ℃. The PIII-enhanced grain growth directly observed and identified as being as a major reason for the observed effects
ECR-PECVD 방법과 플라즈마 이머전 이온 주입법을 결합하여 $SiO_2$ 기판위에 600 ℃보다 낮은 온도에서 volume fraction이 100%인 다결정 박막을 제작하였다. 이 새로운 방법으로 제작된 다결정 박막은 일반적인 ECR-PECVD방법으로 제작된 다결정 박막보다 grain 크기가 더 크다는 것을 관찰했다. 일반적인 ECR-PECVD방법으로 제작된 다결정 박막은 Si/$SiO_2$ 계면 위에 약 5nm의 비정질과 다결정질이 혼합된 층이 있는 반면, 이 방법으로 제작된 다결정 박막은 이런 층이 없음을 알 수 있었다. 이는 일반적인 ECR-PECVD방법으로는 제작하기 힘들었던 아주 얇은 다결정 박막을 제작할 수 있음을 의미한다. 실제로 두께가 30 nm인 다결정박막을 제작하였다. 또, 다결정 박막 형성에 요구되어 지는 온도를 200℃ 이상 낮추었다. 이 현상들은 PIII 에 의하여 enhanced 된 grain growth 때문에 나타났다는 결론을 내렸다.
