The new method to determine parasitic elements from a cold-FET is proposed. And a charge-based non-quasi static large/small signal FET model is introduced.
The model is based on general physical principles, and provides consistent topologies for both large and small signal simulations to frequencies above ft and over a wide range of node voltages. Advantages of this approach include fast parameter extraction for new FET structures, accuracy, and computational efficiency. The model can be applied to arbitrary 3-terminal micro-wave devices.
Cold FET로 부터 기생성분을 추출하는 새로운 방법을 제안하였다. 또한 전하를 바탕으로 하는 논쿼지 스택딕 대신호 모델을 소개하였다. 이 모델은 간단한 물리식을 기반으로 만들어 졌으며, 소신호 모델로 부터 얻어진다. 이 모델은 넓은 범위의 바이어스와 주파수 범위를 모두 만족시킨다. 제안된 모델파라미터 추출방법은 정확하고, 효율적이며, 여러 소자에 적용할 수 있다.
