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Direct wafer fusion of GaAs and InP = 기판 용융에 의한 GaAs 와 InP 기판의 접합 특성 연구
서명 / 저자 Direct wafer fusion of GaAs and InP = 기판 용융에 의한 GaAs 와 InP 기판의 접합 특성 연구 / Dae-Sung Song.
저자명 Song, Dae-Sung ; 송대성
발행사항 [대전 : 한국과학기술원, 1998].
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8008459

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MPH 98017

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초록정보

By using wafer fusion techniques, two 5mm×5mm size lattice-mismatched single-crystal wafers of InP and GaAs are directly-bonded together. After chemical cleaning processes the two wafers are pressed against each other in a graphite sample holder at high temperature (470~700℃) in $H_2$ gas ambient. Uniform bonding is realized and is confirmed by SEM photographs of cross-sectional bonding interface. The bonded wafer does not fall apart even after grinding and polishing processes. Therefore, this wafer fusion technique will be compatible with subsequent fabrication processes. The electrical property of the directly-bonded N-type wafer shows diode-like current-voltage characteristics, implying good electrical contact. The reflectivity of the directly-bonded oxide DBR shows no appreciable optical loss at the bonding interface. The photoluminescence characteristics of the bonded InGaAsP MQW shows slight shift in wavelength, depending on the substarte temperature.

서지기타정보

서지기타정보
청구기호 {MPH 98017
형태사항 63 p. : 삽도 ; 26 cm
언어 영어
일반주기 저자명의 한글표기 : 송대성
지도교수의 영문표기 : Yong-Hee Lee
지도교수의 한글표기 : 이용희
학위논문 학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 물리학과,
서지주기 Reference : p. 62-63
주제 Direct wafer bonding
BAR
기판용융 접합
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