A very narrow silicon point contact structure has been fabricated using the SOI (Silicon-On-Insulator) technology, electron beam lithography, anisotropic dry etching, and thermal oxidation. The point contact structure exhibits quantized conductance at 70mK, while conductance plateaus remain up to 1.7K. This is attributed to the one-dimensional subband effect in a very narrow constriction successfully formed by using physical confinement with a high potential $SiO_2$ barrier.
전자 선 묘화, 수직 건 식각, 그리고 열 산화 기술을 이용하여 SOI 웨이펴 상에 아주 좁은 폭을 갖는 점 접촉 구조를 제작, 측정하였다. 제작한 소자의 측정 결과, 상온에서는 일반적인 모스 트랜지스터와 같은 동작을 보였으며, 70mK의 저온에서는 뚜렷한 전도도의 양자화 현상을 관찰할 수 있었고, 약 1.7K까지의 측정 온도에서 그 특성을 볼 수 있었다. 이론적으로 계산된 결과와 유사한 일치를 보였으며, 따라서, 실리콘 채널을 둘러싼 산화막의 에너지 장벽에 의해 일 차원 구속이 성공적으로 이루어져 나타난 부 밴드 효과인 것으로 보인다.
