A new inkjet printhead using single crystalline silicon as a heating resistor was proposed and fabricated. The proposed inkjet printhead has the structure where a single crystalline island formed by utilizing the characteristics of the porous silicon is used as a heating resistor. Considering the current- direction-dependent characteristics of the porousizing process, an n-type single crystalline island can be obtained by intentionally making the current path parallel to the horizontal direction of the wafer, which is possible by using p+/n+ double diffusion process. The process needed to form a single crystalline resistor becomes rather simple, and so does that of forming its protection layer since the thermally oxidized layer can be used for its protection. Furthermore, sicne p+/n+ double diffusion unit process can be properly incorporated into the CMOS process, the high resolution inkjet printhead fabrication where the integrated switching circuit is indispensable is expected to be simplified, hence desirable also in terms of cost.
단결정 실리콘을 발열체 저항으로 이용하는 새로운 잉크젯 프린트 헤드를 제안하고 제작하였다. 새롭게 제안한 잉크젯 프린트헤드는 porous silicon 의 특성을 이용하여 형성한 single crystalline island를 발열체 저항으로 이용하는 구조이다. 전류 방향에 따라 porous화 되는 실리콘의 특성을 살려 웨이퍼에 p+/n+ double diffusion하여 전류 방향이 웨이퍼의 수평 방향이 되게 함으로써 n-type single crystalline island를 형성하였다. 단결정 실리콘 저항체는 그 형성 방법이 단순하고 열 산화막을 보호층으로 사용 가능함으로써 보호층 형성 공정이 간단하다. 또한 고해상도 인쇄를 위해서는 스위칭 회로의 집적화가 필연적으로 이루어져야 하며 발열 저항체 형성을 위한 n+/p+ diffusion을 회로 제작에 이용함으로써 고해상도 잉크젯 프린트 헤드 제작시 제작 공정이 단순해 진다. 단순한 공정을 거침으로 가격 면에서 생산력 있는 잉크젯 프린트헤드를 제안하였다.
